Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IPA50R500CE

IPA50R500CE

Nur als Referenz

Teilenummer IPA50R500CE
PNEDA Teilenummer IPA50R500CE
Beschreibung MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO220FP
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 2.610
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 16 - Feb 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IPA50R500CE Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIPA50R500CE
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IPA50R500CE Datasheet
  • where to find IPA50R500CE
  • Infineon Technologies

  • Infineon Technologies IPA50R500CE
  • IPA50R500CE PDF Datasheet
  • IPA50R500CE Stock

  • IPA50R500CE Pinout
  • Datasheet IPA50R500CE
  • IPA50R500CE Supplier

  • Infineon Technologies Distributor
  • IPA50R500CE Price
  • IPA50R500CE Distributor

IPA50R500CE Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieCoolMOS™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)500V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.7.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs500mOhm @ 2.3A, 13V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18.7nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds433pF @ 100V
FET-FunktionSuper Junction
Verlustleistung (max.)28W (Tc)
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketPG-TO220-FP
Paket / FallTO-220-3 Full Pack

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

STU1HN60K3

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

SuperMESH3™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.2A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8Ohm @ 600mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

140pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

27W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

I-PAK

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

AON2405

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

32mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1025pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.8W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

6-DFN-EP (2x2)

Paket / Fall

6-UDFN Exposed Pad

BUZ30A E3045A

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

21A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1900pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

125W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D²PAK (TO-263AB)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

TPH3206LDGB

Transphorm

Hersteller

Transphorm

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

GaNFET (Gallium Nitride)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

180mOhm @ 11A, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 500µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.3nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±18V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

760pF @ 480V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

81W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PQFN (8x8)

Paket / Fall

3-PowerDFN

UPA2820T1S-E2-AT

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

22A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.3mOhm @ 22A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2330pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.5W (Ta), 16W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

8-PowerWDFN

Kürzlich verkauft

APT8024JLL

APT8024JLL

Microsemi

MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227

MAX890LESA+T

MAX890LESA+T

Maxim Integrated

IC SW MOSFET PUR PCH HSIDE 8SOIC

0217005.MXP

0217005.MXP

Littelfuse

FUSE GLASS 5A 250VAC 5X20MM

LS4148-GS08

LS4148-GS08

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD80

MAX1490BEPG+

MAX1490BEPG+

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 24DIP

74VHC14MTC

74VHC14MTC

ON Semiconductor

IC INVERTER SCHMITT 6CH 14TSSOP

WSL20102L000FEA

WSL20102L000FEA

Vishay Dale

RES 0.002 OHM 1% 1/2W 2010

PFS7539H

PFS7539H

Power Integrations

IC PFC CTLR 1000W 180VAC 16ESIP

ISL3152EIPZ

ISL3152EIPZ

Renesas Electronics America Inc.

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8DIP

1825027-5

1825027-5

TE Connectivity ALCOSWITCH Switches

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 24V

ADSP-21487KSWZ-4BB

ADSP-21487KSWZ-4BB

Analog Devices

DSP/DSC

A3P250-VQG100I

A3P250-VQG100I

Microsemi

IC FPGA 68 I/O 100VQFP