IMH24T110
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| Teilenummer | IMH24T110 |
| PNEDA Teilenummer | IMH24T110 |
| Beschreibung | TRANS PREBIAS 2NPN 20V SC74 |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.858 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IMH24T110 Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IMH24T110 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt |
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IMH24T110 Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | 2 NPN Pre-Biased (Dual) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 600mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 20V |
| Widerstand - Basis (R1) | 2.2kOhms |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 820 @ 50mA, 5V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 50mA, 2.5mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA (ICBO) |
| Frequenz - Übergang | 150MHz |
| Leistung - max | 300mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-74, SOT-457 |
| Lieferantengerätepaket | SMT6 |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Transistortyp 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA (ICBO) Frequenz - Übergang 250MHz Leistung - max 150mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket EMT6 |
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