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ILQ74-X001

ILQ74-X001

Nur als Referenz

Teilenummer ILQ74-X001
PNEDA Teilenummer ILQ74-X001
Beschreibung OPTOISO 5.3KV 4CH TRANS 16DIP
Hersteller Vishay Semiconductor Opto Division
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Auf Lager 7.956
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ILQ74-X001 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Opto Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerILQ74-X001
KategorieHalbleiterIsolatorenOptoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang
Datenblatt
ILQ74-X001, ILQ74-X001 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 184,61 KB)
PDFILQ74-X009T Datenblatt Cover
ILQ74-X009T Datenblatt Seite 2 ILQ74-X009T Datenblatt Seite 3 ILQ74-X009T Datenblatt Seite 4 ILQ74-X009T Datenblatt Seite 5 ILQ74-X009T Datenblatt Seite 6 ILQ74-X009T Datenblatt Seite 7 ILQ74-X009T Datenblatt Seite 8

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ILQ74-X001 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Opto Division
Serie-
Anzahl der Kanäle4
Spannungsisolation5300Vrms
Stromübertragungsverhältnis (min)12.5% @ 16mA
Stromübertragungsverhältnis (max.)-
Ein- / Ausschaltzeit (Typ)3µs, 3µs
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)-
EingabetypDC
AusgabetypTransistor
Spannung - Ausgang (max.)20V
Strom - Ausgang / Kanal-
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)1.3V
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)60mA
Vce-Sättigung (max.)500mV
Betriebstemperatur-55°C ~ 100°C
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall16-DIP (0.300", 7.62mm)
Lieferantengerätepaket16-DIP

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ON Semiconductor

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

4170Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

40% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

80% @ 10mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

2µs, 3µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

4µs, 3.5µs (Max)

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor with Base

Spannung - Ausgang (max.)

70V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.35V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

60mA

Vce-Sättigung (max.)

400mV

Betriebstemperatur

-40°C ~ 100°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

6-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

6-DIP

EL3H7(E)(EB)-VG

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Hersteller

Everlight Electronics Co Ltd

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

3750Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

100% @ 5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

200% @ 5mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

5µs, 3µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

80V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.2V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Vce-Sättigung (max.)

200mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 110°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

4-SSOP

MOC223R2M

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

2500Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

500% @ 1mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

10µs, 125µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

8µs, 110µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Darlington with Base

Spannung - Ausgang (max.)

30V

Strom - Ausgang / Kanal

150mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.08V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

60mA

Vce-Sättigung (max.)

1V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 100°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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Sharp Microelectronics

Hersteller

Sharp Microelectronics

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

2500Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

140% @ 500µA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

350% @ 500µA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

4µs, 3µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

80V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.2V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

10mA

Vce-Sättigung (max.)

200mV

Betriebstemperatur

-30°C ~ 100°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

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Sharp Microelectronics

Hersteller

Sharp Microelectronics

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

150% @ 5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

300% @ 5mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

2µs, 23µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

3µs, 2µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

70V

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30mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.2V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

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Vce-Sättigung (max.)

350mV

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Through Hole

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