IL211AT
Nur als Referenz
| Teilenummer | IL211AT | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | IL211AT | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | OPTOISO 4KV TRANS W/BASE 8SOIC | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Vishay Semiconductor Opto Division | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 27 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 19 - Apr 24 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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IL211AT Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Opto Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IL211AT |
| Kategorie | Halbleiter › Isolatoren › Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang |
| Datenblatt |
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IL211AT Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Opto Division |
| Serie | - |
| Anzahl der Kanäle | 1 |
| Spannungsisolation | 4000Vrms |
| Stromübertragungsverhältnis (min) | 20% @ 10mA |
| Stromübertragungsverhältnis (max.) | - |
| Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | 3µs, 3µs |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | - |
| Eingabetyp | DC |
| Ausgabetyp | Transistor with Base |
| Spannung - Ausgang (max.) | 30V |
| Strom - Ausgang / Kanal | - |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.3V |
| Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) | 60mA |
| Vce-Sättigung (max.) | 400mV |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 100°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Anzahl der Kanäle 2 Spannungsisolation 5000Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 50% @ 5mA Stromübertragungsverhältnis (max.) - Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 2.4µs, 2.4µs Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) - Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor Spannung - Ausgang (max.) 30V Strom - Ausgang / Kanal 30mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.2V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 60mA Vce-Sättigung (max.) 400mV Betriebstemperatur -55°C ~ 100°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SMD, Gull Wing Lieferantengerätepaket 8-SMD |
Hersteller Vishay Semiconductor Opto Division Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 5000Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 63% @ 10mA Stromübertragungsverhältnis (max.) 125% @ 10mA Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 6µs, 5µs Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 3µs, 4.7µs Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor Spannung - Ausgang (max.) 70V Strom - Ausgang / Kanal 50mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.25V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 60mA Vce-Sättigung (max.) 300mV Betriebstemperatur -40°C ~ 100°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall 4-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 4-DIP |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 5000Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 300% @ 1.6mA Stromübertragungsverhältnis (max.) - Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 1µs, 7.3µs Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) - Eingabetyp DC Ausgabetyp Darlington with Base Spannung - Ausgang (max.) 7V Strom - Ausgang / Kanal 60mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.3V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 20mA Vce-Sättigung (max.) - Betriebstemperatur -40°C ~ 100°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall 8-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 8-DIP |
