IKP28N65ES5XKSA1
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| Teilenummer | IKP28N65ES5XKSA1 |
| PNEDA Teilenummer | IKP28N65ES5XKSA1 |
| Beschreibung | IGBT 650V 28A TO220-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 15.588 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 11 - Feb 16 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IKP28N65ES5XKSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IKP28N65ES5XKSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IKP28N65ES5XKSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | TrenchStop™ 5 |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 38A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 90A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 28A |
| Leistung - max | 130W |
| Schaltenergie | 530µJ (on), 400µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 50nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 27ns/184ns |
| Testbedingung | 400V, 28A, 34Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 73ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO220-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 59A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 72A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.77V @ 15V, 24A Leistung - max 246W Schaltenergie 532µJ (on), 311µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 77nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 19ns/90ns Testbedingung 400V, 24A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 102ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D²PAK |
Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 20A Leistung - max 150W Schaltenergie 700µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 55nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/110ns Testbedingung 480V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 25ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Lieferantengerätepaket TO-268 |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 60A Leistung - max 300W Schaltenergie 8mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 130nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 50ns/300ns Testbedingung 480V, 60A, 2.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Lieferantengerätepaket TO-268 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ NPT and Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1000V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 60A Leistung - max 180W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 275nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 140ns/630ns Testbedingung 600V, 60A, 51Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 1.2µs Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264-3 |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 50A Leistung - max 250W Schaltenergie 3.3mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 167nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 70ns/150ns Testbedingung 480V, 50A, 2.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXSH) |
