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IKD15N60RFAATMA1

IKD15N60RFAATMA1

Nur als Referenz

Teilenummer IKD15N60RFAATMA1
PNEDA Teilenummer IKD15N60RFAATMA1
Beschreibung IGBT 600V 30A 250W PG-TO252-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 3.492
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IKD15N60RFAATMA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIKD15N60RFAATMA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IKD15N60RFAATMA1, IKD15N60RFAATMA1 Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 1.758,08 KB)
PDFIKD15N60RFAATMA1 Datenblatt Cover
IKD15N60RFAATMA1 Datenblatt Seite 2 IKD15N60RFAATMA1 Datenblatt Seite 3 IKD15N60RFAATMA1 Datenblatt Seite 4 IKD15N60RFAATMA1 Datenblatt Seite 5 IKD15N60RFAATMA1 Datenblatt Seite 6 IKD15N60RFAATMA1 Datenblatt Seite 7 IKD15N60RFAATMA1 Datenblatt Seite 8 IKD15N60RFAATMA1 Datenblatt Seite 9 IKD15N60RFAATMA1 Datenblatt Seite 10 IKD15N60RFAATMA1 Datenblatt Seite 11

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IKD15N60RFAATMA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchStop™
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)45A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 15A
Leistung - max240W
Schaltenergie270µJ (on), 250µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge90nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.13ns/160ns
Testbedingung400V, 15A, 15Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)74ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketPG-TO252-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

48A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

96A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 24A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

1.3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

41nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/150ns

Testbedingung

480V, 24A, 33Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

NGTB15N135IHRWG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1350V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.65V @ 15V, 15A

Leistung - max

357W

Schaltenergie

420µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

156nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/170ns

Testbedingung

600V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

IXBF9N160G

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

7A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

7V @ 15V, 5A

Leistung - max

70W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

34nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

960V, 5A, 27Ohm, 10V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

i4-Pac™-5 (3 Leads)

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS i4-PAC™

IRG4IBC30FDPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20.3A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 17A

Leistung - max

45W

Schaltenergie

630µJ (on), 1.39mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

51nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

42ns/230ns

Testbedingung

480V, 17A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

42ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220AB Full-Pak

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

188A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

490A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 100A

Leistung - max

1150W

Schaltenergie

6.5mJ (on), 2.9mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

270nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

32ns/123ns

Testbedingung

600V, 100A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

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MAX491ESD+T

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WSL2512R0250FEA

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