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IKD06N60R

IKD06N60R

Nur als Referenz

Teilenummer IKD06N60R
PNEDA Teilenummer IKD06N60R
Beschreibung IGBT 600V 12A 100W TO252-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 6.354
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 1 - Dez 6 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IKD06N60R Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIKD06N60R
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IKD06N60R, IKD06N60R Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 1.884,29 KB)
PDFIKD06N60R Datenblatt Cover
IKD06N60R Datenblatt Seite 2 IKD06N60R Datenblatt Seite 3 IKD06N60R Datenblatt Seite 4 IKD06N60R Datenblatt Seite 5 IKD06N60R Datenblatt Seite 6 IKD06N60R Datenblatt Seite 7 IKD06N60R Datenblatt Seite 8 IKD06N60R Datenblatt Seite 9 IKD06N60R Datenblatt Seite 10 IKD06N60R Datenblatt Seite 11

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IKD06N60R Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieTrenchStop®
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)12A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)18A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 6A
Leistung - max100W
Schaltenergie330µJ
EingabetypStandard
Gate Charge48nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.12ns/127ns
Testbedingung400V, 6A, 23Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)68ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketPG-TO252-3

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IGBT-Typ

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600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

52A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 12A

Leistung - max

208W

Schaltenergie

85µJ (on), 189µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

53nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/97ns

Testbedingung

390V, 12A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

31ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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Lieferantengerätepaket

TO-247-3

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

64A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 40A

Leistung - max

500W

Schaltenergie

2.3mJ (on), 1.1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

220nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/110ns

Testbedingung

600V, 40A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

112ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-264-3

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 75A

Leistung - max

428W

Schaltenergie

3mJ (on), 1.7mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

470nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

31ns/265ns

Testbedingung

400V, 75A, 5.2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

190ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

NGTB15N60EG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 15A

Leistung - max

117W

Schaltenergie

900µJ (on), 300µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

80nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

78ns/130ns

Testbedingung

400V, 15A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

270ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-220

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Hersteller

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Serie

TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

105A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.07V @ 15V, 35A

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Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

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-

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