IGT60R190D1SATMA1
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| Teilenummer | IGT60R190D1SATMA1 |
| PNEDA Teilenummer | IGT60R190D1SATMA1 |
| Beschreibung | IC GAN FET 600V 23A 8HSOF |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.700 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 11 - Apr 16 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IGT60R190D1SATMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IGT60R190D1SATMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IGT60R190D1SATMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | CoolGaN™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 12.5A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 960µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | -10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 157pF @ 400V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 55.5W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-HSOF-8-3 |
| Paket / Fall | 8-PowerSFN |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie * FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |
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