IGT60R190D1SATMA1
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Teilenummer | IGT60R190D1SATMA1 |
PNEDA Teilenummer | IGT60R190D1SATMA1 |
Beschreibung | IC GAN FET 600V 23A 8HSOF |
Hersteller | Infineon Technologies |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 2.700 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IGT60R190D1SATMA1 Ressourcen
Marke | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | IGT60R190D1SATMA1 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IGT60R190D1SATMA1 Technische Daten
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | CoolGaN™ |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 12.5A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 960µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | -10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 157pF @ 400V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 55.5W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | PG-HSOF-8-3 |
Paket / Fall | 8-PowerSFN |
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