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IGP01N120H2XKSA1

IGP01N120H2XKSA1

Nur als Referenz

Teilenummer IGP01N120H2XKSA1
PNEDA Teilenummer IGP01N120H2XKSA1
Beschreibung IGBT 1200V 3.2A 28W TO220-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 2.052
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IGP01N120H2XKSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIGP01N120H2XKSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IGP01N120H2XKSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)3.2A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)3.5A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.8V @ 15V, 1A
Leistung - max28W
Schaltenergie140µJ
EingabetypStandard
Gate Charge8.6nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.13ns/370ns
Testbedingung800V, 1A, 241Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketPG-TO220-3

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Hersteller

IXYS

Serie

GenX4™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

116A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

230A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 60A

Leistung - max

380W

Schaltenergie

3.13mJ (on), 1.15mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

95nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

37ns/145ns

Testbedingung

400V, 60A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

150ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 (IXXH)

FGI3236-F085

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK®

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

360V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

44A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.4V @ 4V, 6A

Leistung - max

187W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

20nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/5.4µs

Testbedingung

300V, 1kOhm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Lieferantengerätepaket

I2PAK (TO-262)

STGWA40H60DLFB

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

HB

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 7V, 40A

Leistung - max

283W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 Long Leads

STGB30M65DF2

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

Leistung - max

258W

Schaltenergie

300µJ (on), 960µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

80nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

31.6ns/115ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

140ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

IXBK75N170

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

580A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 75A

Leistung - max

1040W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

350nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

1.5µs

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264

Kürzlich verkauft

TAJC226K025RNJ

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CAP TANT 22UF 10% 25V 2312

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74279221111

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FERRITE BEAD 110 OHM 1206 1LN

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TRANS PNP DARL 160V 15A TO-3P-5

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Nuvoton Technology

IC VOICEBND CODEC 3V 1CH 20TSSOP

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IC TRANSCEIVER FULL 4/5 28SSOP

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