IGLD60R070D1AUMA1
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| Teilenummer | IGLD60R070D1AUMA1 |
| PNEDA Teilenummer | IGLD60R070D1AUMA1 |
| Beschreibung | IC GAN FET 600V 60A 8SON |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.690 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 1 - Feb 6 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IGLD60R070D1AUMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IGLD60R070D1AUMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IGLD60R070D1AUMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | CoolGaN™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 15A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 2.6mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | -10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 400V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 114W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-LSON-8-1 |
| Paket / Fall | 8-LDFN Exposed Pad |
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