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IGD515EI-34

IGD515EI-34

Nur als Referenz

Teilenummer IGD515EI-34
PNEDA Teilenummer IGD515EI-34
Beschreibung GATE DRIVER CORE SCALE-1 3300V
Hersteller Power Integrations
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Auf Lager 8.802
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IGD515EI-34 Ressourcen

Marke Power Integrations
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIGD515EI-34
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber
Datenblatt
IGD515EI-34, IGD515EI-34 Datenblatt (Total Pages: 19, Größe: 229,96 KB)
PDFIGD515EI-34 Datenblatt Cover
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IGD515EI-34 Technische Daten

HerstellerPower Integrations
SerieSCALE™-1
Angetriebene KonfigurationHigh-Side or Low-Side
KanaltypSingle
Anzahl der Treiber1
Gate-TypIGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung12V ~ 16V
Logikspannung - VIL, VIH0.9V, 3.8V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)15A, 15A
Eingabetyp-
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)40ns, 40ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall36-DIP Module, 24 Leads
LieferantengerätepaketModule

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Linear Technology/Analog Devices

Hersteller

Linear Technology/Analog Devices

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

High-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4V ~ 15V

Logikspannung - VIL, VIH

1.2V, 1.6V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.1A, 1.1A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

80V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

10ns, 7ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-MSOP-EP

TC4422VMF

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

9A, 9A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

60ns, 60ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-VDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-DFN-S (6x5)

HIP2100IR4

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

9V ~ 14V

Logikspannung - VIL, VIH

4V, 7V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2A, 2A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

114V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

10ns, 10ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

12-VFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

12-DFN (4x4)

NCV5703BDR2G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q100

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

IGBT

Spannung - Versorgung

20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.75V, 4.3V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1A, 1A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

9.2ns, 7.9ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

MC34152DG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

6.1V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.6V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.5A, 1.5A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

36ns, 32ns

Betriebstemperatur

0°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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