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IGC99T120T8RLX1SA3

IGC99T120T8RLX1SA3

Nur als Referenz

Teilenummer IGC99T120T8RLX1SA3
PNEDA Teilenummer IGC99T120T8RLX1SA3
Beschreibung IGBT 1200V 100A DIE
Hersteller Infineon Technologies
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IGC99T120T8RLX1SA3 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIGC99T120T8RLX1SA3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IGC99T120T8RLX1SA3 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Strom - Kollektor gepulst (Icm)300A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.97V @ 15V, 100A
Leistung - max-
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge-
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDie
LieferantengerätepaketDie

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

360V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

220A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 50A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

47nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

TO-252, (D-Pak)

AIGW50N65H5XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, Trenchstop™ 5

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Leistung - max

270W

Schaltenergie

490µJ (on), 140µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

1018nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/156ns

Testbedingung

400V, 25A, 12Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3-41

GPA025A120MN-ND

Global Power Technologies Group

Hersteller

Global Power Technologies Group

Serie

-

IGBT-Typ

NPT and Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

75A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 25A

Leistung - max

312W

Schaltenergie

4.15mJ (on), 870µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

350nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

57ns/240ns

Testbedingung

600V, 25A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

480ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PN

FGPF120N30TU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.4V @ 15V, 25A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

112nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220F

IRG4RC10KD

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

9A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.62V @ 15V, 5A

Leistung - max

38W

Schaltenergie

250µJ (on), 140µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

19nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

49ns/97ns

Testbedingung

480V, 5A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

28ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

D-Pak

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