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IFS100V12PT4BOSA1

IFS100V12PT4BOSA1

Nur als Referenz

Teilenummer IFS100V12PT4BOSA1
PNEDA Teilenummer IFS100V12PT4BOSA1
Beschreibung MODULE IPM MIPAQ-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 8.532
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 4 - Jan 9 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IFS100V12PT4BOSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIFS100V12PT4BOSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module

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IFS100V12PT4BOSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
KonfigurationThree Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100A
Leistung - max-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 100A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)-
Eingangskapazität (Cies) @ Vce-
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 65°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Leistung - max

73W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 15A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

0.935nF @ 30V

Eingabe

Three Phase Bridge Rectifier

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

25PM-AA

Lieferantengerätepaket

25PM-AA

CM75RL-24NF

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Three Phase Inverter with Brake

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Leistung - max

520W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

11.5nF @ 10V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

VS-GB55NA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

HEXFRED®

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

84A

Leistung - max

431W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Lieferantengerätepaket

SOT-227

FZ1600R17KE3NOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2300A

Leistung - max

8950W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 600A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

145nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Three Phase Inverter with Brake

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

11A

Leistung - max

45W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 6A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

20µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

0.435nF @ 25V

Eingabe

Three Phase Bridge Rectifier

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

E1

Lieferantengerätepaket

E1

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