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IDW30E60AFKSA1

IDW30E60AFKSA1

Nur als Referenz

Teilenummer IDW30E60AFKSA1
PNEDA Teilenummer IDW30E60AFKSA1
Beschreibung DIODE GEN PURP 600V 60A TO247-3
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis
1 ---------- $27,4332
100 ---------- $26,1473
250 ---------- $24,8614
500 ---------- $23,5754
750 ---------- $22,5038
1.000 ---------- $21,4322
Auf Lager 6.444
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IDW30E60AFKSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIDW30E60AFKSA1
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single

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IDW30E60AFKSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)600V
Current - Average Rectified (Io)60A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If2V @ 30A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)143ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr40µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247-3
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-40°C ~ 175°C

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Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

20V

Current - Average Rectified (Io)

16A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

550mV @ 16A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 20V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

TO-220AC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 125°C

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Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

100mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

580mV @ 100mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

1.3ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

3pF @ 10V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOD-923

Lieferantengerätepaket

USSMINI2-F2-B

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

125°C (Max)

1N5552

Semtech

Hersteller

Semtech Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 3A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

2µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

92pF @ 5V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

Axial

Lieferantengerätepaket

Axial

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

1N3291A

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

100A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 100A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

24mA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

DO-205AA, DO-8, Stud

Lieferantengerätepaket

DO-205AA (DO-8)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 200°C

RB168MM-40TFTR

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

650mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

550nA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOD-123F

Lieferantengerätepaket

PMDU

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

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