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IDT71V3558S100PF8

IDT71V3558S100PF8

Nur als Referenz

Teilenummer IDT71V3558S100PF8
PNEDA Teilenummer IDT71V3558S100PF8
Beschreibung IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP
Hersteller IDT, Integrated Device Technology
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Auf Lager 8.856
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IDT71V3558S100PF8 Ressourcen

Marke IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIDT71V3558S100PF8
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IDT71V3558S100PF8, IDT71V3558S100PF8 Datenblatt (Total Pages: 28, Größe: 641,97 KB)
PDFIDT71V3558XS133PFI8 Datenblatt Cover
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IDT71V3558S100PF8 Technische Daten

HerstellerIDT, Integrated Device Technology Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße4.5Mb (256K x 18)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz100MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit5ns
Spannung - Versorgung3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall100-LQFP
Lieferantengerätepaket100-TQFP (14x14)

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

PSRAM (Pseudo SRAM)

Speichergröße

16Mb (1M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

1Gb (64M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

60ns

Zugriffszeit

105ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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56-TSOP (14x20)

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

8Mb (512K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

45ns

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

2.2V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

44-TSOP II

MT53B192M32D1Z9AMWC1

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

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Speichergröße

6Gb (192M x 32)

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.1V

Betriebstemperatur

0°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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