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IDT71P79804S267BQ

IDT71P79804S267BQ

Nur als Referenz

Teilenummer IDT71P79804S267BQ
PNEDA Teilenummer IDT71P79804S267BQ
Beschreibung IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA
Hersteller IDT, Integrated Device Technology
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Auf Lager 7.344
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IDT71P79804S267BQ Ressourcen

Marke IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIDT71P79804S267BQ
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IDT71P79804S267BQ, IDT71P79804S267BQ Datenblatt (Total Pages: 20, Größe: 1.316,61 KB)
PDFIDT71P79804S267BQ8 Datenblatt Cover
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IDT71P79804S267BQ Technische Daten

HerstellerIDT, Integrated Device Technology Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, DDR II
Speichergröße18Mb (1M x 18)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz267MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit6.3ns
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall165-TBGA
Lieferantengerätepaket165-CABGA (13x15)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

2Gb (256M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

450ps

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

45ns

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Lieferantengerätepaket

48-SSOP

CY22E016L-SZ45XC

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

16Kb (2K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

45ns

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

28-SOIC

AT45DB641E-MWHN2B-T

Adesto Technologies

Hersteller

Adesto Technologies

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

64Mb (256 Bytes x 32K pages)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

85MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

8µs, 5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-VDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-VDFN (6x8)

AT28HC256-12JI

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ms

Zugriffszeit

120ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

32-LCC (J-Lead)

Lieferantengerätepaket

32-PLCC (13.97x11.43)

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