IDP23E60
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Teilenummer | IDP23E60 |
PNEDA Teilenummer | IDP23E60 |
Beschreibung | DIODE GEN PURP 600V 41A TO220-2 |
Hersteller | Infineon Technologies |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 7.668 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IDP23E60 Ressourcen
Marke | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | IDP23E60 |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
Datenblatt |
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IDP23E60 Technische Daten
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | - |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
Current - Average Rectified (Io) | 41A (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 2V @ 23A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 120ns |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 50µA @ 600V |
Kapazität @ Vr, F. | - |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-220-2 |
Lieferantengerätepaket | PG-TO220-2-2 |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 175°C |
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Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/444 Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 70V Current - Average Rectified (Io) 33mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1V @ 15mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 200nA @ 100V Kapazität @ Vr, F. 2pF @ 0V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-213AA Lieferantengerätepaket DO-213AA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
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Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |