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IDP06E60

IDP06E60

Nur als Referenz

Teilenummer IDP06E60
PNEDA Teilenummer IDP06E60
Beschreibung DIODE GEN PURP 600V 14.7A TO220
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 4.500
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 27 - Dez 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IDP06E60 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIDP06E60
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
IDP06E60, IDP06E60 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 583,87 KB)
PDFIDP06E60 Datenblatt Cover
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IDP06E60 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)600V
Current - Average Rectified (Io)14.7A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If2V @ 6A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)70ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr50µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-2
LieferantengerätepaketPG-TO220-2-2
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 175°C

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/590

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1100V

Current - Average Rectified (Io)

1.4A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.6V @ 1.4A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

60ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

4µA @ 1100V

Kapazität @ Vr, F.

40pF @ 10V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

E-MELF

Lieferantengerätepaket

D-5B

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

ES1CL RTG

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

150V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

950mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 150V

Kapazität @ Vr, F.

10pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-219AB

Lieferantengerätepaket

Sub SMA

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

SBRS8130LT3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

395mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AA, SMB

Lieferantengerätepaket

SMB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 125°C

CDBU0330-HF

Comchip Technology

Hersteller

Comchip Technology

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

350mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

600mV @ 200mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

6.4ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 20V

Kapazität @ Vr, F.

50pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

2-SMD, No Lead

Lieferantengerätepaket

0603 (1608 Metric)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

125°C (Max)

SBRT4U15LP-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Super Barrier

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

15V

Current - Average Rectified (Io)

4A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

470mV @ 15A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 15V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

2-UFDFN

Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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