IDK08G65C5XTMA1
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Teilenummer | IDK08G65C5XTMA1 |
PNEDA Teilenummer | IDK08G65C5XTMA1 |
Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO263-2 |
Hersteller | Infineon Technologies |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 5.022 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IDK08G65C5XTMA1 Ressourcen
Marke | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | IDK08G65C5XTMA1 |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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IDK08G65C5XTMA1 Technische Daten
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | CoolSiC™+ |
Diodentyp | Silicon Carbide Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 650V |
Current - Average Rectified (Io) | 8A (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 8A |
Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 1.4mA @ 650V |
Kapazität @ Vr, F. | 250pF @ 1V, 1MHz |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Lieferantengerätepaket | PG-TO263-2 |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 175°C |
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Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 2200V Current - Average Rectified (Io) 4810A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.078V @ 4000A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 200mA @ 2200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall DO-200AE Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
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