IDH10G120C5XKSA1
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| Teilenummer | IDH10G120C5XKSA1 |
| PNEDA Teilenummer | IDH10G120C5XKSA1 |
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220-2 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.428 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 14 - Feb 19 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IDH10G120C5XKSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IDH10G120C5XKSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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IDH10G120C5XKSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | CoolSiC™+ |
| Diodentyp | Silicon Carbide Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1200V |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A (DC) |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 10A |
| Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 62µA @ 1200V |
| Kapazität @ Vr, F. | 525pF @ 1V, 1MHz |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-2 |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO220-2-1 |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 175°C |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
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