IDH06G65C6XKSA1
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| Teilenummer | IDH06G65C6XKSA1 |
| PNEDA Teilenummer | IDH06G65C6XKSA1 |
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 650V 16A TO220-2 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.688 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 31 - Apr 5 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IDH06G65C6XKSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IDH06G65C6XKSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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IDH06G65C6XKSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Diodentyp | Silicon Carbide Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 650V |
| Current - Average Rectified (Io) | 16A (DC) |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.35V @ 6A |
| Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 20µA @ 420V |
| Kapazität @ Vr, F. | 302pF @ 1V, 1MHz |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-2 |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO220-2 |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 175°C |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 20V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 450mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 500µA @ 20V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Ultramite™ Lieferantengerätepaket Ultramite™ Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -50°C ~ 125°C |
