IDH03G65C5XKSA2
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| Teilenummer | IDH03G65C5XKSA2 |
| PNEDA Teilenummer | IDH03G65C5XKSA2 |
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 650V 3A TO220-2-1 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 11.388 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IDH03G65C5XKSA2 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IDH03G65C5XKSA2 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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IDH03G65C5XKSA2 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | CoolSiC™+ |
| Diodentyp | Silicon Carbide Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 650V |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A (DC) |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 3A |
| Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 50µA @ 650V |
| Kapazität @ Vr, F. | 100pF @ 1V, 1MHz |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-2 |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO220-2-1 |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 175°C |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie eSMP® Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 4A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 4A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 2.5µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. 30pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-277, 3-PowerDFN Lieferantengerätepaket TO-277A (SMPC) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie HEXFRED® Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1200V Current - Average Rectified (Io) 8A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 3.3V @ 8A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 95ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 1200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-2 Lieferantengerätepaket TO-247AC Modified Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101, eSMP® Diodentyp Avalanche Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 800V Current - Average Rectified (Io) 2.1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 1.2µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 800V Kapazität @ Vr, F. 37pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-277, 3-PowerDFN Lieferantengerätepaket TO-277A (SMPC) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller WeEn Semiconductors Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 4A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.28V @ 4A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 75ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 1.5V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-201AD, Axial Lieferantengerätepaket DO-201AD Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Current - Average Rectified (Io) 5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.15V @ 5A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 2.5µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 400V Kapazität @ Vr, F. 40pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AB, SMC Lieferantengerätepaket DO-214AB (SMC) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
