IDDD08G65C6XTMA1
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| Teilenummer | IDDD08G65C6XTMA1 |
| PNEDA Teilenummer | IDDD08G65C6XTMA1 |
| Beschreibung | SIC DIODES |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.778 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IDDD08G65C6XTMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IDDD08G65C6XTMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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IDDD08G65C6XTMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | CoolSiC™+ |
| Diodentyp | Silicon Carbide Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 650V |
| Current - Average Rectified (Io) | 24A (DC) |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | - |
| Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 27µA @ 420V |
| Kapazität @ Vr, F. | 401pF @ 1V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 10-PowerSOP Module |
| Lieferantengerätepaket | PG-HDSOP-10-1 |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 175°C |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie eSMP® Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 500mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 250µA @ 30V Kapazität @ Vr, F. 65pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-219AD Lieferantengerätepaket MicroSMP (DO-219AD) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller ON Semiconductor Serie SWITCHMODE™ Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 80V Current - Average Rectified (Io) 10A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 800mV @ 10A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 80V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220-2 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1200V Current - Average Rectified (Io) 5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 3.5V @ 5A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 100ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 1200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220F-2L Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Avalanche Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 75ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall SOD-57, Axial Lieferantengerätepaket SOD-57 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 60V Current - Average Rectified (Io) 15A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 620mV @ 15A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 800µA @ 60V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
