IAUT260N10S5N019ATMA1
Nur als Referenz
Teilenummer | IAUT260N10S5N019ATMA1 |
PNEDA Teilenummer | IAUT260N10S5N019ATMA1 |
Beschreibung | MOSFET_(75V,120V( |
Hersteller | Infineon Technologies |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 22.458 |
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IAUT260N10S5N019ATMA1 Ressourcen
Marke | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | IAUT260N10S5N019ATMA1 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IAUT260N10S5N019ATMA1 Technische Daten
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | OptiMOS™-5 |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 260A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 210µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 166nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 11830pF @ 50V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 300W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | PG-HSOF-8-1 |
Paket / Fall | 8-PowerSFN |
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Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie * FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |
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