HYB25D512800CE-6
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| Teilenummer | HYB25D512800CE-6 |
| PNEDA Teilenummer | HYB25D512800CE-6 |
| Beschreibung | IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II |
| Hersteller | Qimonda |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 16.236 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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HYB25D512800CE-6 Ressourcen
| Marke | Qimonda |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | HYB25D512800CE-6 |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
HYB25D512800CE-6, HYB25D512800CE-6 Datenblatt
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HYB25D512800CE-6 Technische Daten
| Hersteller | Qimonda |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR |
| Speichergröße | 512Mb (64M x 8) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 166MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 2.3V ~ 2.7V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 66-TSOP II |
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