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HTZ110A25K

HTZ110A25K

Nur als Referenz

Teilenummer HTZ110A25K
PNEDA Teilenummer HTZ110A25K
Beschreibung DIODE MODULE 25KV 3.5A
Hersteller IXYS
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HTZ110A25K Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerHTZ110A25K
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
HTZ110A25K, HTZ110A25K Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 185,11 KB)
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HTZ110A25K Datenblatt Seite 2

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HTZ110A25K Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
Diodenkonfiguration1 Pair Series Connection
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)25000V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)3.5A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If18.3V @ 12A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr500µA @ 25000V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

20A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

670mV @ 20A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 40V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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MURT40020R

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Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Anode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

400A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 200A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

125ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

25µA @ 50V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Three Tower

Lieferantengerätepaket

Three Tower

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

150V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

890mV @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 150V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

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V30100CHM3/4W

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101, TMBS®

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

800mV @ 15A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 100V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

62CNQ030SL

SMC Diode Solutions

Hersteller

SMC Diode Solutions

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

30A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

530mV @ 30A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5mA @ 30V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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