HTNFET-T
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| Teilenummer | HTNFET-T |
| PNEDA Teilenummer | HTNFET-T |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 55V 4-PIN |
| Hersteller | Honeywell Aerospace |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.214 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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HTNFET-T Ressourcen
| Marke | Honeywell Aerospace |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | HTNFET-T |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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HTNFET-T Technische Daten
| Hersteller | Honeywell Aerospace |
| Serie | HTMOS™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 100mA, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.3nC @ 5V |
| Vgs (Max) | 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 28V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 50W (Tj) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | 4-Power Tab |
| Paket / Fall | 4-SIP |
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Hersteller Infineon Technologies Serie * FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |
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