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HSMS-2855-TR2G

HSMS-2855-TR2G

Nur als Referenz

Teilenummer HSMS-2855-TR2G
PNEDA Teilenummer HSMS-2855-TR2G
Beschreibung RF DIODE SCHOTTKY 2V SOT143-4
Hersteller Broadcom
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Auf Lager 7.812
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 21 - Dez 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

HSMS-2855-TR2G Ressourcen

Marke Broadcom
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerHSMS-2855-TR2G
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterDioden - RF

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HSMS-2855-TR2G Technische Daten

HerstellerBroadcom Limited
Serie-
DiodentypSchottky - 2 Independent
Spannung - Peak Reverse (Max)2V
Strom - max-
Kapazität @ Vr, F.0.3pF @ 1V, 1MHz
Widerstand @ If, F.-
Verlustleistung (max.)-
Betriebstemperatur150°C (TJ)
Paket / FallTO-253-4, TO-253AA
LieferantengerätepaketSOT-143-4

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

PIN - Single

Spannung - Peak Reverse (Max)

200V

Strom - max

20mA

Kapazität @ Vr, F.

1pF @ 20V, 1MHz

Widerstand @ If, F.

1Ohm @ 10mA, 100MHz

Verlustleistung (max.)

200mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Paket / Fall

SC-76, SOD-323

Lieferantengerätepaket

SOD-323

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard - Single

Spannung - Peak Reverse (Max)

35V

Strom - max

100mA

Kapazität @ Vr, F.

1.25pF @ 3V, 100MHz

Widerstand @ If, F.

700mOhm @ 3mA, 200MHz

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

PIN - Single

Spannung - Peak Reverse (Max)

60V

Strom - max

100mA

Kapazität @ Vr, F.

0.3pF @ 20V, 1MHz

Widerstand @ If, F.

1.5Ohm @ 100mA, 100MHz

Verlustleistung (max.)

150mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Paket / Fall

2-XDFN

Lieferantengerätepaket

DFN1006D-2

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Diodentyp

PIN - Single

Spannung - Peak Reverse (Max)

50V

Strom - max

100mA

Kapazität @ Vr, F.

0.28pF @ 20V, 1MHz

Widerstand @ If, F.

800mOhm @ 100mA, 100MHz

Verlustleistung (max.)

135mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Paket / Fall

2-XDFN

Lieferantengerätepaket

2-DFN1006D (0.6x1.0)

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Diodentyp

Schottky - Single

Spannung - Peak Reverse (Max)

5V

Strom - max

30mA

Kapazität @ Vr, F.

0.6pF @ 0.2V, 1MHz

Widerstand @ If, F.

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Paket / Fall

SC-76, SOD-323

Lieferantengerätepaket

USC

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