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HSM825J/TR13

HSM825J/TR13

Nur als Referenz

Teilenummer HSM825J/TR13
PNEDA Teilenummer HSM825J-TR13
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 25V 8A DO214AB
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 2.394
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HSM825J/TR13 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerHSM825J/TR13
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
HSM825J/TR13, HSM825J/TR13 Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 105,96 KB)
PDFHSM845J/TR13 Datenblatt Cover
HSM845J/TR13 Datenblatt Seite 2

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HSM825J/TR13 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)25V
Current - Average Rectified (Io)8A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If620mV @ 8A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr250µA @ 25V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDO-214AB, SMC
LieferantengerätepaketDO-214AB
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 175°C

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

3.1V @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

10ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

250µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

17pF @ 10V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

1N4001GPE-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

SUPERECTIFIER®

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

2µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

8pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AL (DO-41)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

UFT3020

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

*

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

HER307G R0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

75ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

35pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-201AD, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-201AD

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

1N4001GPHM3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

15pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AL (DO-41)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-50°C ~ 150°C

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