HS3AB R5G
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Teilenummer | HS3AB R5G |
PNEDA Teilenummer | HS3AB-R5G |
Beschreibung | DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AA |
Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 3.168 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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HS3AB R5G Ressourcen
Marke | Taiwan Semiconductor Corporation |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | HS3AB R5G |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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HS3AB R5G Technische Daten
Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
Serie | - |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 50V |
Current - Average Rectified (Io) | 3A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 3A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 50ns |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 10µA @ 50V |
Kapazität @ Vr, F. | 80pF @ 4V, 1MHz |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | DO-214AA, SMB |
Lieferantengerätepaket | DO-214AA (SMB) |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
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Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 60V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 690mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 60V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-213AB, MELF Lieferantengerätepaket DO-213AB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 125°C |
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Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |