HS1KL R3G
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| Teilenummer | HS1KL R3G |
| PNEDA Teilenummer | HS1KL-R3G |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA |
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 18.072 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 13 - Feb 18 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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HS1KL R3G Ressourcen
| Marke | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | HS1KL R3G |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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HS1KL R3G Technische Daten
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 800V |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 1A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 5µA @ 800V |
| Kapazität @ Vr, F. | 15pF @ 4V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-219AB |
| Lieferantengerätepaket | Sub SMA |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1600V Current - Average Rectified (Io) 20A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 20A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 1600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
