HN2S02JE(TE85L,F)
Nur als Referenz
| Teilenummer | HN2S02JE(TE85L,F) | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | HN2S02JE-TE85L-F | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V ESV | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage | ||||||||||||||||||
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| Auf Lager | 216.828 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 28 - Dez 3 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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HN2S02JE(TE85L Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | HN2S02JE(TE85L,F) |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Arrays |
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HN2S02JE(TE85L Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Diodenkonfiguration | 2 Independent |
| Diodentyp | Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 40V |
| Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 100mA |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 600mV @ 100mA |
| Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 5µA @ 40V |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | 125°C (Max) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-553 |
| Lieferantengerätepaket | ESV |
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