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HIP6601BECB

HIP6601BECB

Nur als Referenz

Teilenummer HIP6601BECB
PNEDA Teilenummer HIP6601BECB
Beschreibung IC DRVR MOSFET SYNC BUCK 8EPSOIC
Hersteller Renesas Electronics America Inc.
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Auf Lager 5.346
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 14 - Feb 19 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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HIP6601BECB Ressourcen

Marke Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerHIP6601BECB
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber
Datenblatt
HIP6601BECB, HIP6601BECB Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 732,6 KB)
PDFHIP6604BCRZ-T Datenblatt Cover
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HIP6601BECB Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America Inc.
Serie-
Angetriebene KonfigurationHalf-Bridge
KanaltypSynchronous
Anzahl der Treiber2
Gate-TypN-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung10.8V ~ 13.2V
Logikspannung - VIL, VIH-
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)-
EingabetypNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)15V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)20ns, 20ns
Betriebstemperatur0°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Lieferantengerätepaket8-SOIC-EP

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

High-Side

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

4

Gate-Typ

P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 40V

Logikspannung - VIL, VIH

0.7V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

-

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Betriebstemperatur

-25°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

P-DSO-20-7

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Hersteller

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

8V ~ 14V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.3A, 1.4A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

118V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

15ns, 15ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

TD352ID

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

High-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

12V ~ 26V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 4.2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.3A, 1.7A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

100ns, 100ns (Max)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

MIC4468BWM

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

4

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.2A, 1.2A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

14ns, 13ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

UCC37321DRG4

Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4V ~ 15V

Logikspannung - VIL, VIH

1.1V, 2.7V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

9A, 9A

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

20ns, 20ns

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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