HIP6601BCBZ

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Teilenummer | HIP6601BCBZ |
PNEDA Teilenummer | HIP6601BCBZ |
Beschreibung | IC DRIVER MOSFET DUAL 8-SOIC |
Hersteller | Renesas Electronics America Inc. |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 4.464 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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HIP6601BCBZ Ressourcen
Marke | Renesas Electronics America Inc. |
ECAD Module |
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Mfr. Artikelnummer | HIP6601BCBZ |
Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
Datenblatt |
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HIP6601BCBZ Technische Daten
Hersteller | Renesas Electronics America Inc. |
Serie | - |
Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
Kanaltyp | Synchronous |
Anzahl der Treiber | 2 |
Gate-Typ | N-Channel MOSFET |
Spannung - Versorgung | 10.8V ~ 13.2V |
Logikspannung - VIL, VIH | - |
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | - |
Eingabetyp | Non-Inverting |
High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 15V |
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 20ns, 20ns |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 125°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
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Hersteller Microchip Technology Serie - Angetriebene Konfiguration Low-Side Kanaltyp Single Anzahl der Treiber 1 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 4.5V ~ 18V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 3V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 9A, 9A Eingabetyp Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 20ns, 24ns Betriebstemperatur 0°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-5 Lieferantengerätepaket TO-220-5 |