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HIP4082IBZT

HIP4082IBZT

Nur als Referenz

Teilenummer HIP4082IBZT
PNEDA Teilenummer HIP4082IBZT
Beschreibung IC DRIVER FET H-BRDG 80V 16-SOIC
Hersteller Renesas Electronics America Inc.
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HIP4082IBZT Ressourcen

Marke Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerHIP4082IBZT
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber
Datenblatt
HIP4082IBZT, HIP4082IBZT Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 687,33 KB)
PDFHIP4082IBZTR5676 Datenblatt Cover
HIP4082IBZTR5676 Datenblatt Seite 2 HIP4082IBZTR5676 Datenblatt Seite 3 HIP4082IBZTR5676 Datenblatt Seite 4 HIP4082IBZTR5676 Datenblatt Seite 5 HIP4082IBZTR5676 Datenblatt Seite 6 HIP4082IBZTR5676 Datenblatt Seite 7 HIP4082IBZTR5676 Datenblatt Seite 8 HIP4082IBZTR5676 Datenblatt Seite 9 HIP4082IBZTR5676 Datenblatt Seite 10 HIP4082IBZTR5676 Datenblatt Seite 11

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HIP4082IBZT Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America Inc.
Serie-
Angetriebene KonfigurationHalf-Bridge
KanaltypIndependent
Anzahl der Treiber4
Gate-TypN-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung8.5V ~ 15V
Logikspannung - VIL, VIH1V, 2.5V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)1.4A, 1.3A
EingabetypNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)95V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)9ns, 9ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket16-SOIC

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

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Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT

Spannung - Versorgung

10V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

1.1V, 1.7V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

500mA, 500mA

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

48ns, 24ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Power Integrations

Serie

SCALE™-1

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

0V ~ 16V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

-

Eingabetyp

-

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

TPIC46L03DB

Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

6

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.2mA, 1.2mA

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

3.5µs, 3µs

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

28-SSOP (0.209", 5.30mm Width)

Lieferantengerätepaket

28-SSOP

ISL2100AAR3Z-T

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

9V ~ 14V

Logikspannung - VIL, VIH

3.7V, 7.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2A, 2A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

114V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

10ns, 10ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

9-VFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

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MIC44F18YMME-TR

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 13.2V

Logikspannung - VIL, VIH

1.607V, 1.615V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

6A, 6A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

10ns, 10ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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