HIP2101EIBZT
Nur als Referenz
| Teilenummer | HIP2101EIBZT |
| PNEDA Teilenummer | HIP2101EIBZT |
| Beschreibung | IC DRIVER HALF BRDG 100V 8EPSOIC |
| Hersteller | Renesas Electronics America Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 48.126 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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HIP2101EIBZT Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | HIP2101EIBZT |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
| Datenblatt |
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HIP2101EIBZT Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America Inc. |
| Serie | - |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Kanaltyp | Independent |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Gate-Typ | N-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 9V ~ 14V |
| Logikspannung - VIL, VIH | 0.8V, 2.2V |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 2A, 2A |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 114V |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 10ns, 10ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC-EP |
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Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 9V ~ 15V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.2V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 1.4A, 1.3A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 80V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 5ns, 5ns Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp 3-Phase Anzahl der Treiber 6 Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 10V ~ 20V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.2V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 250mA, 500mA Eingabetyp Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 80ns, 35ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket 28-SOIC |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp 3-Phase Anzahl der Treiber 6 Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 10V ~ 20V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.2V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 250mA, 500mA Eingabetyp Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 80ns, 35ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 28-DIP (0.600", 15.24mm) Lieferantengerätepaket 28-PDIP |
Hersteller Microchip Technology Serie - Angetriebene Konfiguration Low-Side Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel, P-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 4.5V ~ 18V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.4V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 3A, 3A Eingabetyp Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 28ns, 32ns Betriebstemperatur 0°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 8-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 8-PDIP |
Hersteller Serie - Angetriebene Konfiguration Low-Side Kanaltyp Single Anzahl der Treiber 1 Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 10V ~ 32V Logikspannung - VIL, VIH 1.2V, 2.2V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 2.5A, 5A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 15ns, 7ns Betriebstemperatur -40°C ~ 140°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
