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HER304G A0G

HER304G A0G

Nur als Referenz

Teilenummer HER304G A0G
PNEDA Teilenummer HER304G-A0G
Beschreibung DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation
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Auf Lager 6.120
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 28 - Dez 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

HER304G A0G Ressourcen

Marke Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerHER304G A0G
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single

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HER304G A0G Technische Daten

HerstellerTaiwan Semiconductor Corporation
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)300V
Current - Average Rectified (Io)3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1V @ 3A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)50ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr10µA @ 300V
Kapazität @ Vr, F.60pF @ 4V, 1MHz
MontagetypThrough Hole
Paket / FallDO-201AD, Axial
LieferantengerätepaketDO-201AD
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

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Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

450mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

150µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

500pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOD-128

Lieferantengerätepaket

CFP5

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

SDT12A120P5Q-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

JAN1N3671AR

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/260

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

12A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.35V @ 38A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

DO-203AA, DO-4, Stud

Lieferantengerätepaket

DO-203AA (DO-4)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

SRT115HR0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

150V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

900mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 150V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

T-18, Axial

Lieferantengerätepaket

TS-1

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

MBR8045

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

45V

Current - Average Rectified (Io)

80A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

650mV @ 80A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 45V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

DO-203AB, DO-5, Stud

Lieferantengerätepaket

DO-5

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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