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HCNW4504#300

HCNW4504#300

Nur als Referenz

Teilenummer HCNW4504#300
PNEDA Teilenummer HCNW4504-300
Beschreibung OPTOISOLATOR 5KV TRANSISTOR 8SMD
Hersteller Broadcom
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Auf Lager 5.580
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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HCNW4504#300 Ressourcen

Marke Broadcom
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerHCNW4504#300
KategorieHalbleiterIsolatorenOptoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang

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HCNW4504#300 Technische Daten

HerstellerBroadcom Limited
Serie-
Anzahl der Kanäle1
Spannungsisolation5000Vrms
Stromübertragungsverhältnis (min)19% @ 16mA
Stromübertragungsverhältnis (max.)63% @ 16mA
Ein- / Ausschaltzeit (Typ)200ns, 300ns
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)-
EingabetypDC
AusgabetypTransistor
Spannung - Ausgang (max.)20V
Strom - Ausgang / Kanal8mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)1.59V
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)25mA
Vce-Sättigung (max.)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 85°C
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SMD, Gull Wing
Lieferantengerätepaket8-SMD

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

2500Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

40% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

125% @ 10mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

7.5µs, 5.7µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

3.2µs, 4.7µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor with Base

Spannung - Ausgang (max.)

70V

Strom - Ausgang / Kanal

150mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.15V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

60mA

Vce-Sättigung (max.)

400mV

Betriebstemperatur

-40°C ~ 100°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

FOD819S

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

100% @ 1.5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

600% @ 1.5mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

18µs, 18µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

12µs, 20µs

Eingabetyp

AC, DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

80V

Strom - Ausgang / Kanal

30mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.2V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Vce-Sättigung (max.)

300mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 110°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SMD, Gull Wing

Lieferantengerätepaket

4-SMD

EL206(TB)-V

Everlight Electronics Co Ltd

Hersteller

Everlight Electronics Co Ltd

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

3750Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

63% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

125% @ 10mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

3µs, 3µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

1.6µs, 2.2µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor with Base

Spannung - Ausgang (max.)

80V

Strom - Ausgang / Kanal

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.3V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

60mA

Vce-Sättigung (max.)

400mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 110°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

TCMT1105

Vishay Semiconductor Opto Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Opto Division

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

3750Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

50% @ 5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

150% @ 5mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

9.5µs, 8.5µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

5.5µs, 7µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

70V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.35V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

60mA

Vce-Sättigung (max.)

300mV

Betriebstemperatur

-40°C ~ 100°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

4-SOP

EL3H7(K)-G

Everlight Electronics Co Ltd

Hersteller

Everlight Electronics Co Ltd

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

3750Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

160% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

320% @ 10mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

5µs, 3µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

80V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.2V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Vce-Sättigung (max.)

200mV

Betriebstemperatur

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