Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

HAT2173H-EL-E

HAT2173H-EL-E

Nur als Referenz

Teilenummer HAT2173H-EL-E
PNEDA Teilenummer HAT2173H-EL-E
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK
Hersteller Renesas Electronics America
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 4.068
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 5 - Feb 10 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

HAT2173H-EL-E Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerHAT2173H-EL-E
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
HAT2173H-EL-E, HAT2173H-EL-E Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 104,21 KB)
PDFHAT2173H-EL-E Datenblatt Cover
HAT2173H-EL-E Datenblatt Seite 2 HAT2173H-EL-E Datenblatt Seite 3 HAT2173H-EL-E Datenblatt Seite 4 HAT2173H-EL-E Datenblatt Seite 5 HAT2173H-EL-E Datenblatt Seite 6 HAT2173H-EL-E Datenblatt Seite 7 HAT2173H-EL-E Datenblatt Seite 8 HAT2173H-EL-E Datenblatt Seite 9 HAT2173H-EL-E Datenblatt Seite 10

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • HAT2173H-EL-E Datasheet
  • where to find HAT2173H-EL-E
  • Renesas Electronics America

  • Renesas Electronics America HAT2173H-EL-E
  • HAT2173H-EL-E PDF Datasheet
  • HAT2173H-EL-E Stock

  • HAT2173H-EL-E Pinout
  • Datasheet HAT2173H-EL-E
  • HAT2173H-EL-E Supplier

  • Renesas Electronics America Distributor
  • HAT2173H-EL-E Price
  • HAT2173H-EL-E Distributor

HAT2173H-EL-E Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.25A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs15mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id6V @ 20mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs61nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds4350pF @ 10V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)30W (Tc)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketLFPAK
Paket / FallSC-100, SOT-669

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IXFH75N10Q

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

75A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 37.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

180nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3700pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

300W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXFH)

Paket / Fall

TO-247-3

SI4894BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8.9A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1580pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.4W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

GP1M007A090FH

Global Power Technologies Group

Hersteller

Global Power Technologies Group

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

900V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.9Ohm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

49nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1969pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

40.3W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220F

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

IPB180N04S4H0ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

180A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.1mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 180µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

225nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

17940pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

250W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TO263-7-3

Paket / Fall

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

IRF7738L2TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

35A (Ta), 184A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6mOhm @ 109A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

194nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7471pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.3W (Ta), 94W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DIRECTFET L6

Paket / Fall

DirectFET™ Isometric L6

Kürzlich verkauft

TAJA105K016RNJ

TAJA105K016RNJ

CAP TANT 1UF 10% 16V 1206

S34ML01G200TFI000

S34ML01G200TFI000

SkyHigh Memory Limited

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

PS21A79

PS21A79

Powerex Inc.

MOD IPM 600V 50A LARGE DIP

250R05L0R4AV4T

250R05L0R4AV4T

Johanson Technology

CAP CER 0.4PF 25V C0G/NP0 0201

ES1JAF

ES1JAF

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AD

NC7WZ16P6X

NC7WZ16P6X

ON Semiconductor

IC BUF NON-INVERT 5.5V SC70-6

MMBD7000LT1G

MMBD7000LT1G

ON Semiconductor

DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23

ZM4744A-GS18

ZM4744A-GS18

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE ZENER 15V 1W DO213AB

NL453232T-102J-PF

NL453232T-102J-PF

TDK

FIXED IND 1MH 30MA 40 OHM SMD

GQM1555C2D3R3CB01D

GQM1555C2D3R3CB01D

Murata

CAP CER 3.3PF 200V NP0 0402

BAT43WS-7-F

BAT43WS-7-F

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD323

SCT30N120

SCT30N120

STMicroelectronics

MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247