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H11G3M

H11G3M

Nur als Referenz

Teilenummer H11G3M
PNEDA Teilenummer H11G3M
Beschreibung OPTOISO 7.5KV DARL W/BASE 6DIP
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 2.808
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 31 - Jan 5 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

H11G3M Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerH11G3M
KategorieHalbleiterIsolatorenOptoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang
Datenblatt
H11G3M, H11G3M Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 228,96 KB)
PDFH11G3TM Datenblatt Cover
H11G3TM Datenblatt Seite 2 H11G3TM Datenblatt Seite 3 H11G3TM Datenblatt Seite 4 H11G3TM Datenblatt Seite 5 H11G3TM Datenblatt Seite 6 H11G3TM Datenblatt Seite 7 H11G3TM Datenblatt Seite 8

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H11G3M Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
Anzahl der Kanäle1
Spannungsisolation7500Vpk
Stromübertragungsverhältnis (min)200% @ 1mA
Stromübertragungsverhältnis (max.)-
Ein- / Ausschaltzeit (Typ)5µs, 100µs
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)-
EingabetypDC
AusgabetypDarlington with Base
Spannung - Ausgang (max.)55V
Strom - Ausgang / Kanal-
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)1.3V
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)60mA
Vce-Sättigung (max.)1.2V
Betriebstemperatur-40°C ~ 100°C
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall6-DIP (0.300", 7.62mm)
Lieferantengerätepaket6-DIP

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Hersteller

Vishay Semiconductor Opto Division

Serie

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Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

3750Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

100% @ 5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

200% @ 5mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

4.9µs, 3.3µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

2.3µs, 3.2µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

80V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.33V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

20mA

Vce-Sättigung (max.)

400mV

Betriebstemperatur

-40°C ~ 110°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SMD, Gull Wing

Lieferantengerätepaket

4-SOP

PC81410NSZ0F

Sharp Microelectronics

Hersteller

Sharp Microelectronics

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

50% @ 500µA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

600% @ 500µA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

4µs, 3µs

Eingabetyp

AC, DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

80V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.2V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

10mA

Vce-Sättigung (max.)

200mV

Betriebstemperatur

-30°C ~ 100°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

4-DIP

6N136SD

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

2500Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

19% @ 16mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

50% @ 16mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

450ns, 500ns

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor with Base

Spannung - Ausgang (max.)

20V

Strom - Ausgang / Kanal

8mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.45V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

25mA

Vce-Sättigung (max.)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Gull Wing

Lieferantengerätepaket

8-SMD

MOC212R1VM

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

2500Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

50% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

7.5µs, 5.7µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

3.2µs, 4.7µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor with Base

Spannung - Ausgang (max.)

30V

Strom - Ausgang / Kanal

150mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.15V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

60mA

Vce-Sättigung (max.)

400mV

Betriebstemperatur

-40°C ~ 100°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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Vishay Semiconductor Opto Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Opto Division

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

100% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

200% @ 10mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

3µs, 2.3µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

2µs, 2µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor with Base

Spannung - Ausgang (max.)

70V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.39V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

60mA

Vce-Sättigung (max.)

400mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 110°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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