H11G2W
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| Teilenummer | H11G2W |
| PNEDA Teilenummer | H11G2W |
| Beschreibung | OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.388 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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H11G2W Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | H11G2W |
| Kategorie | Halbleiter › Isolatoren › Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang |
| Datenblatt |
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H11G2W Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Anzahl der Kanäle | 1 |
| Spannungsisolation | 5300Vrms |
| Stromübertragungsverhältnis (min) | 1000% @ 10mA |
| Stromübertragungsverhältnis (max.) | - |
| Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | 5µs, 100µs |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | - |
| Eingabetyp | DC |
| Ausgabetyp | Darlington with Base |
| Spannung - Ausgang (max.) | 80V |
| Strom - Ausgang / Kanal | - |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.3V |
| Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) | 60mA |
| Vce-Sättigung (max.) | 1V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 100°C |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | 6-DIP (0.400", 10.16mm) |
| Lieferantengerätepaket | 6-DIP |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller Sharp Microelectronics Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 5000Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 100% @ 5mA Stromübertragungsverhältnis (max.) 250% @ 5mA Ein- / Ausschaltzeit (Typ) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 4µs, 3µs Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor Spannung - Ausgang (max.) 70V Strom - Ausgang / Kanal 50mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.2V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 50mA Vce-Sättigung (max.) 200mV Betriebstemperatur -30°C ~ 100°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall 4-DIP (0.400", 10.16mm) Lieferantengerätepaket 4-DIP |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 2500Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 100% @ 10mA Stromübertragungsverhältnis (max.) 200% @ 10mA Ein- / Ausschaltzeit (Typ) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) - Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor Spannung - Ausgang (max.) 70V Strom - Ausgang / Kanal 50mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.2V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) - Vce-Sättigung (max.) 400mV Betriebstemperatur -25°C ~ 85°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 1500Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) - Stromübertragungsverhältnis (max.) - Ein- / Ausschaltzeit (Typ) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) - Eingabetyp DC Ausgabetyp Photovoltaic Spannung - Ausgang (max.) 30V Strom - Ausgang / Kanal 4µA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.3V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 30mA Vce-Sättigung (max.) - Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket 4-SSOP |
Hersteller CEL Serie NEPOC Anzahl der Kanäle 4 Spannungsisolation 5000Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 100% @ 1mA Stromübertragungsverhältnis (max.) 400% @ 1mA Ein- / Ausschaltzeit (Typ) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 20µs, 30µs Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor Spannung - Ausgang (max.) 40V Strom - Ausgang / Kanal 30mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.1V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 80mA Vce-Sättigung (max.) 250mV Betriebstemperatur -55°C ~ 100°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall 16-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 16-DIP |
Hersteller Everlight Electronics Co Ltd Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 3750Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 63% @ 10mA Stromübertragungsverhältnis (max.) 125% @ 10mA Ein- / Ausschaltzeit (Typ) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 5µs, 3µs Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor Spannung - Ausgang (max.) 80V Strom - Ausgang / Kanal 50mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.2V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 50mA Vce-Sättigung (max.) 200mV Betriebstemperatur -55°C ~ 110°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 4-SSOP |
