H11G2VM
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Teilenummer | H11G2VM |
PNEDA Teilenummer | H11G2VM |
Beschreibung | OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP |
Hersteller | ON Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 8.154 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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H11G2VM Ressourcen
Marke | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | H11G2VM |
Kategorie | Halbleiter › Isolatoren › Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang |
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H11G2VM Technische Daten
Hersteller | ON Semiconductor |
Serie | - |
Anzahl der Kanäle | 1 |
Spannungsisolation | 4170Vrms |
Stromübertragungsverhältnis (min) | 1000% @ 10mA |
Stromübertragungsverhältnis (max.) | - |
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | 5µs, 100µs |
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | - |
Eingabetyp | DC |
Ausgabetyp | Darlington with Base |
Spannung - Ausgang (max.) | 80V |
Strom - Ausgang / Kanal | - |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.3V |
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) | 60mA |
Vce-Sättigung (max.) | 1V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 100°C |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | 6-DIP (0.300", 7.62mm) |
Lieferantengerätepaket | 6-DIP |
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