H11G2M_F132
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| Teilenummer | H11G2M_F132 |
| PNEDA Teilenummer | H11G2M_F132 |
| Beschreibung | OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.444 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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H11G2M_F132 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | H11G2M_F132 |
| Kategorie | Halbleiter › Isolatoren › Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang |
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H11G2M_F132 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Anzahl der Kanäle | 1 |
| Spannungsisolation | 4170Vrms |
| Stromübertragungsverhältnis (min) | 1000% @ 10mA |
| Stromübertragungsverhältnis (max.) | - |
| Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | 5µs, 100µs |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | - |
| Eingabetyp | DC |
| Ausgabetyp | Darlington with Base |
| Spannung - Ausgang (max.) | 80V |
| Strom - Ausgang / Kanal | - |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.3V |
| Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) | 60mA |
| Vce-Sättigung (max.) | 1V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 100°C |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | 6-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Lieferantengerätepaket | 6-DIP |
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Hersteller Broadcom Limited Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 3750Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 21% @ 16mA Stromübertragungsverhältnis (max.) - Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 200ns, 300ns Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) - Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor Spannung - Ausgang (max.) 20V Strom - Ausgang / Kanal 8mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.5V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 25mA Vce-Sättigung (max.) - Betriebstemperatur -55°C ~ 100°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
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