H11F3VM
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| Teilenummer | H11F3VM |
| PNEDA Teilenummer | H11F3VM |
| Beschreibung | OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.906 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 28 - Apr 2 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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H11F3VM Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | H11F3VM |
| Kategorie | Halbleiter › Isolatoren › Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang |
| Datenblatt |
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H11F3VM Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Anzahl der Kanäle | 1 |
| Spannungsisolation | 7500Vpk |
| Stromübertragungsverhältnis (min) | - |
| Stromübertragungsverhältnis (max.) | - |
| Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | 45µs, 45µs (Max) |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | - |
| Eingabetyp | DC |
| Ausgabetyp | MOSFET |
| Spannung - Ausgang (max.) | 15V |
| Strom - Ausgang / Kanal | - |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.3V |
| Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) | 60mA |
| Vce-Sättigung (max.) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 100°C |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | 6-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Lieferantengerätepaket | 6-DIP |
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Hersteller ON Semiconductor Serie * Anzahl der Kanäle - Spannungsisolation - Stromübertragungsverhältnis (min) - Stromübertragungsverhältnis (max.) - Ein- / Ausschaltzeit (Typ) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) - Eingabetyp - Ausgabetyp - Spannung - Ausgang (max.) - Strom - Ausgang / Kanal - Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) - Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) - Vce-Sättigung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Vishay Semiconductor Opto Division Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 5000Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 100% @ 10mA Stromübertragungsverhältnis (max.) 200% @ 10mA Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 3µs, 2.3µs Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 2µs, 2µs Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor Spannung - Ausgang (max.) 70V Strom - Ausgang / Kanal 50mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.35V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 60mA Vce-Sättigung (max.) 400mV Betriebstemperatur -55°C ~ 110°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall 4-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 4-DIP |
Hersteller CEL Serie NEPOC Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 5000Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 1500% @ 1mA Stromübertragungsverhältnis (max.) 6500% @ 1mA Ein- / Ausschaltzeit (Typ) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 100µs, 100µs Eingabetyp DC Ausgabetyp Darlington Spannung - Ausgang (max.) 350V Strom - Ausgang / Kanal 150mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.15V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 80mA Vce-Sättigung (max.) 1V Betriebstemperatur -55°C ~ 100°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-SMD, Gull Wing Lieferantengerätepaket 4-SMD |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 5300Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 100% @ 10mA Stromübertragungsverhältnis (max.) - Ein- / Ausschaltzeit (Typ) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) - Eingabetyp AC, DC Ausgabetyp Transistor with Base Spannung - Ausgang (max.) 30V Strom - Ausgang / Kanal - Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.2V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 100mA Vce-Sättigung (max.) 400mV Betriebstemperatur -55°C ~ 100°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall 6-DIP (0.400", 10.16mm) Lieferantengerätepaket 6-DIP |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 5000Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 100% @ 1mA Stromübertragungsverhältnis (max.) 1200% @ 1mA Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 10µs, 8µs Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 8µs, 8µs Eingabetyp AC, DC Ausgabetyp Transistor Spannung - Ausgang (max.) 55V Strom - Ausgang / Kanal 50mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.15V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 60mA Vce-Sättigung (max.) 400mV Betriebstemperatur -55°C ~ 100°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall 4-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 4-DIP |
