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H11D1-X007T

H11D1-X007T

Nur als Referenz

Teilenummer H11D1-X007T
PNEDA Teilenummer H11D1-X007T
Beschreibung OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD
Hersteller Vishay Semiconductor Opto Division
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Auf Lager 5.580
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 26 - Dez 1 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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H11D1-X007T Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Opto Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerH11D1-X007T
KategorieHalbleiterIsolatorenOptoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang
Datenblatt
H11D1-X007T, H11D1-X007T Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 191,35 KB)
PDFH11D3-X007 Datenblatt Cover
H11D3-X007 Datenblatt Seite 2 H11D3-X007 Datenblatt Seite 3 H11D3-X007 Datenblatt Seite 4 H11D3-X007 Datenblatt Seite 5 H11D3-X007 Datenblatt Seite 6 H11D3-X007 Datenblatt Seite 7 H11D3-X007 Datenblatt Seite 8 H11D3-X007 Datenblatt Seite 9 H11D3-X007 Datenblatt Seite 10

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H11D1-X007T Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Opto Division
Serie-
Anzahl der Kanäle1
Spannungsisolation5300Vrms
Stromübertragungsverhältnis (min)20% @ 10mA
Stromübertragungsverhältnis (max.)-
Ein- / Ausschaltzeit (Typ)5µs, 6µs
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)2.5µs, 5.5µs
EingabetypDC
AusgabetypTransistor with Base
Spannung - Ausgang (max.)300V
Strom - Ausgang / Kanal100mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)1.1V
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)60mA
Vce-Sättigung (max.)400mV
Betriebstemperatur-55°C ~ 100°C
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-SMD, Gull Wing
Lieferantengerätepaket6-SMD

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Hersteller

CEL

Serie

NEPOC

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

15% @ 16mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

220ns, 350ns

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor with Base

Spannung - Ausgang (max.)

35V

Strom - Ausgang / Kanal

8mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.7V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

25mA

Vce-Sättigung (max.)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.400", 10.16mm)

Lieferantengerätepaket

8-DIP

HMHA2801AV

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

3750Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

80% @ 5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

160% @ 5mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

3µs, 3µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

80V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.3V (Max)

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Vce-Sättigung (max.)

300mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

4-Mini-Flat

6N138M-V

Everlight Electronics Co Ltd

Hersteller

Everlight Electronics Co Ltd

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

300% @ 1.6mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

1.4µs, 8µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Darlington with Base

Spannung - Ausgang (max.)

7V

Strom - Ausgang / Kanal

60mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.3V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

20mA

Vce-Sättigung (max.)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.400", 10.16mm)

Lieferantengerätepaket

8-DIP

EL3H7(I)(EA)-G

Everlight Electronics Co Ltd

Hersteller

Everlight Electronics Co Ltd

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

3750Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

63% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

125% @ 10mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

5µs, 3µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

80V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.2V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Vce-Sättigung (max.)

200mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 110°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

4-SSOP

TLP292-4(V4GBTRE

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Anzahl der Kanäle

4

Spannungsisolation

3750Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

100% @ 5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

600% @ 5mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

3µs, 3µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

2µs, 3µs

Eingabetyp

AC, DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

80V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.25V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Vce-Sättigung (max.)

300mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SO

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LTC4365IDDB#TRMPBF

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TAJA106K016RNJ

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WSL25125L000FTA

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0154007.DR

0154007.DR

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ACF451832-153-TD01

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ATMEGA48PA-AU

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