H11B1SR2M
Nur als Referenz
| Teilenummer | H11B1SR2M |
| PNEDA Teilenummer | H11B1SR2M |
| Beschreibung | OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | $8,8635 |
| Auf Lager | 0 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 10 - Nov 15 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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H11B1SR2M Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | H11B1SR2M |
| Kategorie | Halbleiter › Isolatoren › Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang |
| Datenblatt |
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H11B1SR2M Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Anzahl der Kanäle | 1 |
| Spannungsisolation | 4170Vrms |
| Stromübertragungsverhältnis (min) | 500% @ 1mA |
| Stromübertragungsverhältnis (max.) | - |
| Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | 25µs, 18µs |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | - |
| Eingabetyp | DC |
| Ausgabetyp | Darlington with Base |
| Spannung - Ausgang (max.) | 30V |
| Strom - Ausgang / Kanal | 150mA |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.2V |
| Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) | 80mA |
| Vce-Sättigung (max.) | 1V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 100°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-SMD, Gull Wing |
| Lieferantengerätepaket | 6-SMD |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 2500Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 63% @ 10mA Stromübertragungsverhältnis (max.) 125% @ 10mA Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 7.5µs, 5.7µs Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 3.2µs, 4.7µs Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor with Base Spannung - Ausgang (max.) 30V Strom - Ausgang / Kanal 150mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.15V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 60mA Vce-Sättigung (max.) 400mV Betriebstemperatur -40°C ~ 100°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 5300Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 100% @ 10mA Stromübertragungsverhältnis (max.) 200% @ 10mA Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 2µs, 3µs Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 1µs, 2µs Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor with Base Spannung - Ausgang (max.) 70V Strom - Ausgang / Kanal 50mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.35V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 100mA Vce-Sättigung (max.) 300mV Betriebstemperatur -55°C ~ 100°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall 6-DIP (0.400", 10.16mm) Lieferantengerätepaket 6-DIP |
Hersteller Sharp Microelectronics Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 5000Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 120% @ 500µA Stromübertragungsverhältnis (max.) 500% @ 500µA Ein- / Ausschaltzeit (Typ) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 4µs, 3µs Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor Spannung - Ausgang (max.) 80V Strom - Ausgang / Kanal 50mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.2V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 10mA Vce-Sättigung (max.) 200mV Betriebstemperatur -30°C ~ 100°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-SMD, Gull Wing Lieferantengerätepaket 4-SMD |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 7500Vpk Stromübertragungsverhältnis (min) - Stromübertragungsverhältnis (max.) - Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 45µs, 45µs (Max) Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) - Eingabetyp DC Ausgabetyp MOSFET Spannung - Ausgang (max.) 30V Strom - Ausgang / Kanal - Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.3V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 60mA Vce-Sättigung (max.) - Betriebstemperatur -40°C ~ 100°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall 6-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 6-DIP |
