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H11B1300

H11B1300

Nur als Referenz

Teilenummer H11B1300
PNEDA Teilenummer H11B1300
Beschreibung OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 3.366
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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H11B1300 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerH11B1300
KategorieHalbleiterIsolatorenOptoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang
Datenblatt
H11B1300, H11B1300 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 158,7 KB)
PDFTIL113W Datenblatt Cover
TIL113W Datenblatt Seite 2 TIL113W Datenblatt Seite 3 TIL113W Datenblatt Seite 4 TIL113W Datenblatt Seite 5 TIL113W Datenblatt Seite 6 TIL113W Datenblatt Seite 7 TIL113W Datenblatt Seite 8

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H11B1300 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
Anzahl der Kanäle1
Spannungsisolation5300Vrms
Stromübertragungsverhältnis (min)500% @ 1mA
Stromübertragungsverhältnis (max.)-
Ein- / Ausschaltzeit (Typ)25µs, 18µs
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)-
EingabetypDC
AusgabetypDarlington with Base
Spannung - Ausgang (max.)25V
Strom - Ausgang / Kanal-
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)1.2V
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)100mA
Vce-Sättigung (max.)1V
Betriebstemperatur-55°C ~ 100°C
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall6-DIP (0.300", 7.62mm)
Lieferantengerätepaket6-DIP

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Hersteller

Vishay Semiconductor Opto Division

Serie

-

Anzahl der Kanäle

4

Spannungsisolation

5300Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

20% @ 5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

300% @ 5mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

6µs, 5µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

3µs, 4.7µs

Eingabetyp

AC, DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

70V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.25V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

60mA

Vce-Sättigung (max.)

300mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

16-DIP (0.400", 10.16mm)

Lieferantengerätepaket

16-DIP

SFH617A-2X018T

Vishay Semiconductor Opto Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Opto Division

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5300Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

63% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

125% @ 10mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

3µs, 2.3µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

2µs, 2µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

70V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.35V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

60mA

Vce-Sättigung (max.)

400mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 110°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SMD, Gull Wing

Lieferantengerätepaket

4-SMD

PS8101-AX

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

NEPOC

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

3750Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

15% @ 16mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

35% @ 16mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

500ns, 600ns

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

35V

Strom - Ausgang / Kanal

8mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.7V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

25mA

Vce-Sättigung (max.)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads

Lieferantengerätepaket

5-SOP

OPIA801DTU

TT Electronics/Optek Technology

Hersteller

TT Electronics/Optek Technology

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

2500Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

500% @ 1.6mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

300ns, 1.5µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Darlington with Base

Spannung - Ausgang (max.)

18V

Strom - Ausgang / Kanal

60mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.5V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

20mA

Vce-Sättigung (max.)

-

Betriebstemperatur

0°C ~ 125°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

8-DIP

VOS618AT

Vishay Semiconductor Opto Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Opto Division

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

3750Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

50% @ 1mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

600% @ 1mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

5µs, 8µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

5µs, 7µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

80V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.1V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Vce-Sättigung (max.)

400mV

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Paket / Fall

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