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H11AA3SM

H11AA3SM

Nur als Referenz

Teilenummer H11AA3SM
PNEDA Teilenummer H11AA3SM
Beschreibung OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6SMD
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 7.578
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 2 - Feb 7 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

H11AA3SM Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerH11AA3SM
KategorieHalbleiterIsolatorenOptoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang
Datenblatt
H11AA3SM, H11AA3SM Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 401,61 KB)
PDFH11AA4TM Datenblatt Cover
H11AA4TM Datenblatt Seite 2 H11AA4TM Datenblatt Seite 3 H11AA4TM Datenblatt Seite 4 H11AA4TM Datenblatt Seite 5 H11AA4TM Datenblatt Seite 6 H11AA4TM Datenblatt Seite 7 H11AA4TM Datenblatt Seite 8 H11AA4TM Datenblatt Seite 9 H11AA4TM Datenblatt Seite 10 H11AA4TM Datenblatt Seite 11

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H11AA3SM Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
Anzahl der Kanäle1
Spannungsisolation7500Vpk
Stromübertragungsverhältnis (min)50% @ 10mA
Stromübertragungsverhältnis (max.)-
Ein- / Ausschaltzeit (Typ)-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)-
EingabetypAC, DC
AusgabetypTransistor with Base
Spannung - Ausgang (max.)30V
Strom - Ausgang / Kanal50mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)1.17V
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)60mA
Vce-Sättigung (max.)400mV
Betriebstemperatur-40°C ~ 100°C
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-SMD, Gull Wing
Lieferantengerätepaket6-SMD

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Hersteller

Everlight Electronics Co Ltd

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

50% @ 1mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

150% @ 1mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

7µs, 11µs

Eingabetyp

AC, DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

80V

Strom - Ausgang / Kanal

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.2V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

60mA

Vce-Sättigung (max.)

200mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 110°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SMD, Gull Wing

Lieferantengerätepaket

4-SMD

MOCD213R2M

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Anzahl der Kanäle

2

Spannungsisolation

2500Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

100% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

3µs, 2.8µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

1.6µs, 2.2µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

70V

Strom - Ausgang / Kanal

150mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.25V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

60mA

Vce-Sättigung (max.)

400mV

Betriebstemperatur

-40°C ~ 100°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

6N138WV

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

2500Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

300% @ 1.6mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

1.5µs, 7µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Darlington with Base

Spannung - Ausgang (max.)

7V

Strom - Ausgang / Kanal

60mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.3V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

20mA

Vce-Sättigung (max.)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.400", 10.16mm)

Lieferantengerätepaket

8-DIP

TLP292-4(LGBTR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Anzahl der Kanäle

4

Spannungsisolation

3750Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

100% @ 500µA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

600% @ 500µA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

3µs, 3µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

2µs, 3µs

Eingabetyp

AC, DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

80V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.25V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Vce-Sättigung (max.)

300mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SO

TLP292-4(V4-TR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Anzahl der Kanäle

4

Spannungsisolation

3750Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

50% @ 5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

600% @ 5mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

3µs, 3µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

2µs, 3µs

Eingabetyp

AC, DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

80V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.25V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Vce-Sättigung (max.)

300mV

Betriebstemperatur

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