H11A3SD
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| Teilenummer | H11A3SD |
| PNEDA Teilenummer | H11A3SD |
| Beschreibung | OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 1.885 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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H11A3SD Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | H11A3SD |
| Kategorie | Halbleiter › Isolatoren › Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang |
| Datenblatt |
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H11A3SD Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Anzahl der Kanäle | 1 |
| Spannungsisolation | 5300Vrms |
| Stromübertragungsverhältnis (min) | 20% @ 10mA |
| Stromübertragungsverhältnis (max.) | - |
| Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | 2µs, 2µs |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | - |
| Eingabetyp | DC |
| Ausgabetyp | Transistor with Base |
| Spannung - Ausgang (max.) | 30V |
| Strom - Ausgang / Kanal | - |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.18V |
| Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) | 100mA |
| Vce-Sättigung (max.) | 400mV |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 100°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-SMD, Gull Wing |
| Lieferantengerätepaket | 6-SMD |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 4000Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 50% @ 5mA Stromübertragungsverhältnis (max.) 600% @ 5mA Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 3µs, 3µs Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 2µs, 3µs Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor with Base Spannung - Ausgang (max.) 55V Strom - Ausgang / Kanal 50mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.15V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 60mA Vce-Sättigung (max.) 400mV Betriebstemperatur -40°C ~ 100°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall 6-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 6-DIP |
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