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H11A2S1(TB)-V

H11A2S1(TB)-V

Nur als Referenz

Teilenummer H11A2S1(TB)-V
PNEDA Teilenummer H11A2S1-TB-V
Beschreibung OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD
Hersteller Everlight Electronics Co Ltd
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Auf Lager 4.608
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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H11A2S1(TB)-V Ressourcen

Marke Everlight Electronics Co Ltd
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerH11A2S1(TB)-V
KategorieHalbleiterIsolatorenOptoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang
Datenblatt
H11A2S1(TB)-V, H11A2S1(TB)-V Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 1.227,49 KB)
PDFH11A1M-V Datenblatt Cover
H11A1M-V Datenblatt Seite 2 H11A1M-V Datenblatt Seite 3 H11A1M-V Datenblatt Seite 4 H11A1M-V Datenblatt Seite 5 H11A1M-V Datenblatt Seite 6 H11A1M-V Datenblatt Seite 7 H11A1M-V Datenblatt Seite 8 H11A1M-V Datenblatt Seite 9 H11A1M-V Datenblatt Seite 10 H11A1M-V Datenblatt Seite 11

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H11A2S1(TB)-V Technische Daten

HerstellerEverlight Electronics Co Ltd
Serie-
Anzahl der Kanäle1
Spannungsisolation5000Vrms
Stromübertragungsverhältnis (min)20% @ 10mA
Stromübertragungsverhältnis (max.)-
Ein- / Ausschaltzeit (Typ)3µs, 3µs
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)-
EingabetypDC
AusgabetypTransistor with Base
Spannung - Ausgang (max.)80V
Strom - Ausgang / Kanal-
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)1.2V
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)60mA
Vce-Sättigung (max.)400mV
Betriebstemperatur-55°C ~ 110°C
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-SMD, Gull Wing
Lieferantengerätepaket6-SMD

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

4170Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

100% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

300% @ 10mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

15µs, 15µs (Max)

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor with Base

Spannung - Ausgang (max.)

70V

Strom - Ausgang / Kanal

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.18V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

60mA

Vce-Sättigung (max.)

400mV

Betriebstemperatur

-40°C ~ 100°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

6-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

6-DIP

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Hersteller

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Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

1500VDC

Stromübertragungsverhältnis (min)

-

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

4µs, 8µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

10µs, 0.5µs

Eingabetyp

AC, DC

Ausgabetyp

Darlington

Spannung - Ausgang (max.)

20V

Strom - Ausgang / Kanal

40mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

-

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

-

Vce-Sättigung (max.)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD Butt Joint

Lieferantengerätepaket

8-DIP Butt Joint

MCT5201SR2M

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

7500Vpk

Stromübertragungsverhältnis (min)

120% @ 5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

2.5µs, 16µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor with Base

Spannung - Ausgang (max.)

30V

Strom - Ausgang / Kanal

150mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.25V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Vce-Sättigung (max.)

400mV

Betriebstemperatur

-40°C ~ 100°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, Gull Wing

Lieferantengerätepaket

6-SMD

4N38A(SHORT,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

2500Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

10% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

3µs, 3µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor with Base

Spannung - Ausgang (max.)

80V

Strom - Ausgang / Kanal

100mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.15V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

80mA

Vce-Sättigung (max.)

1V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

6-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

6-DIP

4N27SM

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

4170Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

10% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

2µs, 2µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor with Base

Spannung - Ausgang (max.)

30V

Strom - Ausgang / Kanal

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.18V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

60mA

Vce-Sättigung (max.)

500mV

Betriebstemperatur

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